Hersteller Produktnummer:
TSM60N1R4CH C5G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60N1R4CH C5G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12898281
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM60N1R4CH C5G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
370 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
TSM60N1R4CHC5G
TSM60N1R4CH C5G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU5N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
831
TEILNUMMER
STU5N60M2-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TSM024NA04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
BUK7Y19-100EX
MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
TSM15N50CI C0G
MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB
